半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
4期
433-437
,共5页
王弘英%刘玉岭%郝景晨%魏碧华
王弘英%劉玉嶺%郝景晨%魏碧華
왕홍영%류옥령%학경신%위벽화
铜%阻挡层%两步抛光%ULSI%多层布线
銅%阻擋層%兩步拋光%ULSI%多層佈線
동%조당층%량보포광%ULSI%다층포선
在超大规模集成电路(ULSI)铜布线工艺中,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散.为了达到全局平面化,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光(CMP)速率的不同.通过研究和一系列试验,采用两步抛光,初抛中采用高化学作用,终抛中采用高机械作用,达到较好的全局平面化效果,并提出了初抛的CMP模型.
在超大規模集成電路(ULSI)銅佈線工藝中,採用阻擋層來提高銅與襯底的粘附性,主要是為瞭防止銅原子嚮介質或襯底中擴散.為瞭達到全跼平麵化,就需要剋服阻擋層金屬與佈線金屬銅因化學和物理性質的不同而導緻其化學機械拋光(CMP)速率的不同.通過研究和一繫列試驗,採用兩步拋光,初拋中採用高化學作用,終拋中採用高機械作用,達到較好的全跼平麵化效果,併提齣瞭初拋的CMP模型.
재초대규모집성전로(ULSI)동포선공예중,채용조당층래제고동여츤저적점부성,주요시위료방지동원자향개질혹츤저중확산.위료체도전국평면화,취수요극복조당층금속여포선금속동인화학화물이성질적불동이도치기화학궤계포광(CMP)속솔적불동.통과연구화일계렬시험,채용량보포광,초포중채용고화학작용,종포중채용고궤계작용,체도교호적전국평면화효과,병제출료초포적CMP모형.
