半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
711-715
,共5页
朋兴平%王印月%方泽波%杨映虎
朋興平%王印月%方澤波%楊映虎
붕흥평%왕인월%방택파%양영호
ZnO薄膜%In掺杂%光致发光谱%射频反应溅射
ZnO薄膜%In摻雜%光緻髮光譜%射頻反應濺射
ZnO박막%In참잡%광치발광보%사빈반응천사
通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的蓝紫发光双峰.研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响.当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的c轴择优取向和较小的晶格失配(0.16%);同时在PL谱中观察到波长位于415nm(3.02eV)和433nm(2.86eV)处的强蓝紫光双峰.
通過射頻反應濺射法在硅襯底上製備瞭具有c軸擇優取嚮和小晶格失配的In摻雜ZnO薄膜.在室溫下測量樣品的光緻髮光(PL)光譜,觀察到波長位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的藍紫髮光雙峰.研究瞭不同In摻雜量對ZnO薄膜的結構和髮光特性的影響.噹In片麵積為靶總麵積的3%時,樣品具有高度的c軸擇優取嚮和較小的晶格失配(0.16%);同時在PL譜中觀察到波長位于415nm(3.02eV)和433nm(2.86eV)處的彊藍紫光雙峰.
통과사빈반응천사법재규츤저상제비료구유c축택우취향화소정격실배적In참잡ZnO박막.재실온하측량양품적광치발광(PL)광보,관찰도파장위우415nm(3.02eV)화430nm(2.88eV)부근적람자발광쌍봉.연구료불동In참잡량대ZnO박막적결구화발광특성적영향.당In편면적위파총면적적3%시,양품구유고도적c축택우취향화교소적정격실배(0.16%);동시재PL보중관찰도파장위우415nm(3.02eV)화433nm(2.86eV)처적강람자광쌍봉.
