InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究
InGaN/GaN다양자정LED전치발광보중쌍봉기원적연구
Origins of Double Emission Peaks in Electroluminescence Spectrum from InGaN/GaN MQW LED
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 7期 1121-1124 ,共4页

    陈志忠%徐科%秦志新%于彤军%童玉珍%宋金德%林亮%刘鹏%齐胜利%张国义

    진지충%서과%진지신%우동군%동옥진%송금덕%림량%류붕%제성리%장국의

    氮化镓%发光二极管%多量子阱%透射电子显微镜%电致发光谱%阴极荧光谱 氮化鎵%髮光二極管%多量子阱%透射電子顯微鏡%電緻髮光譜%陰極熒光譜
    담화가%발광이겁관%다양자정%투사전자현미경%전치발광보%음겁형광보
    研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104 mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.
    연구료MOCVD생장적구유쌍발사봉결구적InGaN/GaN다양자정발광이겁관(LED)적결구화발광특성.재투사전자현미경(TEM)하가이발현양자정적관도불일치,전치발광보(EL)발현료위우2.45eV적록광발광봉화2.81eV처적람광발광봉.수착전류밀도증가,쌍봉적봉위몰유이동,직도주입전류밀도체도2×104 mA/cm2시,록광발광봉발생람이,이람광발광봉몰유변화.단색적음겁형광보(CL)발현록광발사대응적발광구포괄서상구역화발광점,이람광발사대응적발광구부포함서상구역.통과이상적결과,아문인위람광발사기본상원우InGaN양자정발광,이록광발사칙기원우양자정화양자점적발광.
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