图形化SOI LDMOS跨导特性的研究
도형화SOI LDMOS과도특성적연구
An Investigaton into Trans Conductance Characteristics of Patterned SOI LDMOS
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2007年 6期 2122-2124 ,共3页

    曲越%李德昌%习毓

    곡월%리덕창%습육

    图形化SOI LDMOS%跨导%栅氧化层%漂移区 圖形化SOI LDMOS%跨導%柵氧化層%漂移區
    도형화SOI LDMOS%과도%책양화층%표이구
    借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响.文章指出了对跨导gm有影响的因素,并为降低跨导应该进行的参数调节提供了参考.
    차조ISE연건,이조시후각삼수성능우량적도형화SOI LDMOS기건위방진평태,연구병분석료책양화층후도,표이구농도,구도농도,SOI층후도사개결구공예삼수대도형화SOI LDMOS과도gm적영향.문장지출료대과도gm유영향적인소,병위강저과도응해진행적삼수조절제공료삼고.
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