发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2009年
2期
247-251
,共5页
江东%胡晓云%张德恺%马益平%郑新亮%张昕%樊君
江東%鬍曉雲%張德愷%馬益平%鄭新亮%張昕%樊君
강동%호효운%장덕개%마익평%정신량%장흔%번군
溶胶-凝胶法%稀土%光致发光(PL)%SiO2基质%微观结构
溶膠-凝膠法%稀土%光緻髮光(PL)%SiO2基質%微觀結構
용효-응효법%희토%광치발광(PL)%SiO2기질%미관결구
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了Eu掺杂的SiO2干凝胶,分别用光致发光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、红外吸收(IR)谱等分析手段对样品进行了表征,研究了SiO2的基质中Eu3+、Eu2+的发光特性以及退火温度对发射光谱的影响,并对其发光机理进行了分析.结果表明,样品掺杂均匀,颗粒尺寸大约在50~80 nm,硼(B)离子进入SiO2网格,成为了基质的一部分,改变了基质的网络结构.当采用258 nm激发样品时,随着退火温度的升高,红光发射强度先增强后减弱.对于经800 ℃退火处理的样品红光发射最强,出现了576 nm(5D0 →7F0),620 nm(5D0 →7F2),658 nm(5D0 →7F3)3条谱线,其中主峰位于 620 nm红光发射,对应于Eu3+离子的5D0 →7F2超灵敏跃迁,进一步说明B离子参与到基质中,形成了Si-O-B键,导致Eu3+离子所处配位环境的对称性降低,从而有利于Eu3+离子的特征发射;当采用271 nm激发样品时,随着退火温度的升高,蓝光发射强度先增强后减弱,经850 ℃退火的样品400~500 nm蓝光发射最强,归属于Eu2+的5d→4f的跃迁发射,证明在铝离子(Al3+)存在的情形下,在高温退火过程中Al3+部分取代Si4+形成AlO-4基团,掺杂Eu3+填补AlO-4基团附近的空位,增加了Eu3+周围的AlO-4四面体中氧原子的电子给予能力,使得Eu3+还原成Eu2+,从而得到了较强的蓝光发射.但是,当退火温度达到900 ℃时,由于稀土离子发生位置的迁移形成团簇红光和蓝光都明显地降低.
採用溶膠-凝膠(sol-gel)法製備瞭Eu摻雜的SiO2榦凝膠,分彆用光緻髮光(PL)光譜、透射電鏡(TEM)、掃描電鏡(SEM)、紅外吸收(IR)譜等分析手段對樣品進行瞭錶徵,研究瞭SiO2的基質中Eu3+、Eu2+的髮光特性以及退火溫度對髮射光譜的影響,併對其髮光機理進行瞭分析.結果錶明,樣品摻雜均勻,顆粒呎吋大約在50~80 nm,硼(B)離子進入SiO2網格,成為瞭基質的一部分,改變瞭基質的網絡結構.噹採用258 nm激髮樣品時,隨著退火溫度的升高,紅光髮射彊度先增彊後減弱.對于經800 ℃退火處理的樣品紅光髮射最彊,齣現瞭576 nm(5D0 →7F0),620 nm(5D0 →7F2),658 nm(5D0 →7F3)3條譜線,其中主峰位于 620 nm紅光髮射,對應于Eu3+離子的5D0 →7F2超靈敏躍遷,進一步說明B離子參與到基質中,形成瞭Si-O-B鍵,導緻Eu3+離子所處配位環境的對稱性降低,從而有利于Eu3+離子的特徵髮射;噹採用271 nm激髮樣品時,隨著退火溫度的升高,藍光髮射彊度先增彊後減弱,經850 ℃退火的樣品400~500 nm藍光髮射最彊,歸屬于Eu2+的5d→4f的躍遷髮射,證明在鋁離子(Al3+)存在的情形下,在高溫退火過程中Al3+部分取代Si4+形成AlO-4基糰,摻雜Eu3+填補AlO-4基糰附近的空位,增加瞭Eu3+週圍的AlO-4四麵體中氧原子的電子給予能力,使得Eu3+還原成Eu2+,從而得到瞭較彊的藍光髮射.但是,噹退火溫度達到900 ℃時,由于稀土離子髮生位置的遷移形成糰簇紅光和藍光都明顯地降低.
채용용효-응효(sol-gel)법제비료Eu참잡적SiO2간응효,분별용광치발광(PL)광보、투사전경(TEM)、소묘전경(SEM)、홍외흡수(IR)보등분석수단대양품진행료표정,연구료SiO2적기질중Eu3+、Eu2+적발광특성이급퇴화온도대발사광보적영향,병대기발광궤리진행료분석.결과표명,양품참잡균균,과립척촌대약재50~80 nm,붕(B)리자진입SiO2망격,성위료기질적일부분,개변료기질적망락결구.당채용258 nm격발양품시,수착퇴화온도적승고,홍광발사강도선증강후감약.대우경800 ℃퇴화처리적양품홍광발사최강,출현료576 nm(5D0 →7F0),620 nm(5D0 →7F2),658 nm(5D0 →7F3)3조보선,기중주봉위우 620 nm홍광발사,대응우Eu3+리자적5D0 →7F2초령민약천,진일보설명B리자삼여도기질중,형성료Si-O-B건,도치Eu3+리자소처배위배경적대칭성강저,종이유리우Eu3+리자적특정발사;당채용271 nm격발양품시,수착퇴화온도적승고,람광발사강도선증강후감약,경850 ℃퇴화적양품400~500 nm람광발사최강,귀속우Eu2+적5d→4f적약천발사,증명재려리자(Al3+)존재적정형하,재고온퇴화과정중Al3+부분취대Si4+형성AlO-4기단,참잡Eu3+전보AlO-4기단부근적공위,증가료Eu3+주위적AlO-4사면체중양원자적전자급여능력,사득Eu3+환원성Eu2+,종이득도료교강적람광발사.단시,당퇴화온도체도900 ℃시,유우희토리자발생위치적천이형성단족홍광화람광도명현지강저.