电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
7期
20-23
,共4页
功率器件%垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管%元胞
功率器件%垂直雙擴散金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%元胞
공솔기건%수직쌍확산금속-양화물-반도체장효응정체관%원포
分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据此设计了一种元胞结构.详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P阱推进等.流水所得VDMOS实测结果表明,该器件反向击穿特性良好,栅氧耐压达到本征击穿,阈值电压2.8V,导通电阻仅25m Ω,器件综合性能良好.
分析瞭功率MOSFET最大額定電流與導通電阻的關繫,討論瞭平麵型中壓大電流VDMOS器件設計中導通電阻、麵積和開關損耗的摺衷攷慮,提齣瞭圓弧形溝道佈跼以增大溝道寬度,以及柵氧下部分非溝道區域採用跼域氧化技術以減小柵電容的方法,併據此設計瞭一種元胞結構.詳細論述瞭器件製造過程中的關鍵工藝環節,包括柵氧化、光刻套準、多晶硅刻蝕、P阱推進等.流水所得VDMOS實測結果錶明,該器件反嚮擊穿特性良好,柵氧耐壓達到本徵擊穿,閾值電壓2.8V,導通電阻僅25m Ω,器件綜閤性能良好.
분석료공솔MOSFET최대액정전류여도통전조적관계,토론료평면형중압대전류VDMOS기건설계중도통전조、면적화개관손모적절충고필,제출료원호형구도포국이증대구도관도,이급책양하부분비구도구역채용국역양화기술이감소책전용적방법,병거차설계료일충원포결구.상세논술료기건제조과정중적관건공예배절,포괄책양화、광각투준、다정규각식、P정추진등.류수소득VDMOS실측결과표명,해기건반향격천특성량호,책양내압체도본정격천,역치전압2.8V,도통전조부25m Ω,기건종합성능량호.
