半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
10期
983-988
,共6页
李方馨%孟庆蕾%席曦%钱维莹%阙立志%季静佳%李果华
李方馨%孟慶蕾%席晞%錢維瑩%闕立誌%季靜佳%李果華
리방형%맹경뢰%석희%전유형%궐립지%계정가%리과화
ZnPc/C60%ZnPc阴极修饰层%结构优化%光强分布%稳定性
ZnPc/C60%ZnPc陰極脩飾層%結構優化%光彊分佈%穩定性
ZnPc/C60%ZnPc음겁수식층%결구우화%광강분포%은정성
采用ZnPc作为ZnPc/C60有机太阳电池阴极修饰层,分析了其对器件光电性能和稳定性的影响.研究了不同厚度ZnPc修饰层对器件性能的影响,结果表明用3 nm ZnPe修饰的器件性能最好.通过传输矩阵的方法画出了结构为ITO/ZnPc(30 nm)/C60(40 nm)/ZnPc(3 nm)/Al(100 nm)电池内部两束敏感光线(630 nm和450 nm光波)的光强分布图,加入3 nm ZnPc对光强分布影响不大.实验还对比分析了未添加、添加LiF和ZnPc修饰层器件的稳定性,用ZnPc修饰的器件更好地改善了稳定性,并对相关机理进行了讨论.
採用ZnPc作為ZnPc/C60有機太暘電池陰極脩飾層,分析瞭其對器件光電性能和穩定性的影響.研究瞭不同厚度ZnPc脩飾層對器件性能的影響,結果錶明用3 nm ZnPe脩飾的器件性能最好.通過傳輸矩陣的方法畫齣瞭結構為ITO/ZnPc(30 nm)/C60(40 nm)/ZnPc(3 nm)/Al(100 nm)電池內部兩束敏感光線(630 nm和450 nm光波)的光彊分佈圖,加入3 nm ZnPc對光彊分佈影響不大.實驗還對比分析瞭未添加、添加LiF和ZnPc脩飾層器件的穩定性,用ZnPc脩飾的器件更好地改善瞭穩定性,併對相關機理進行瞭討論.
채용ZnPc작위ZnPc/C60유궤태양전지음겁수식층,분석료기대기건광전성능화은정성적영향.연구료불동후도ZnPc수식층대기건성능적영향,결과표명용3 nm ZnPe수식적기건성능최호.통과전수구진적방법화출료결구위ITO/ZnPc(30 nm)/C60(40 nm)/ZnPc(3 nm)/Al(100 nm)전지내부량속민감광선(630 nm화450 nm광파)적광강분포도,가입3 nm ZnPc대광강분포영향불대.실험환대비분석료미첨가、첨가LiF화ZnPc수식층기건적은정성,용ZnPc수식적기건경호지개선료은정성,병대상관궤리진행료토론.
