微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
3期
167-171
,共5页
杨爱春%李玉国%卓博世%郑学垒%彭瑞芹
楊愛春%李玉國%卓博世%鄭學壘%彭瑞芹
양애춘%리옥국%탁박세%정학루%팽서근
金/二氧化硅%纳米复合膜%溅射%光致发光%纳米结构
金/二氧化硅%納米複閤膜%濺射%光緻髮光%納米結構
금/이양화규%납미복합막%천사%광치발광%납미결구
采用磁控溅射和退火法在Si(111)衬底上制备Au/SiO2,纳米复合薄膜,并在两种实验模式下进行退火处理.模式A:不同的退火温度,退火20 min;模式B:退火温度1 000 0C,不同的退火时间.用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射方法(XRD)和光致发光(PL)等测试手段对退火后的Au/SiO2纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性进行了分析.SEM结果表明,在模式A情况下,随着温度的增加,Au纳米颗粒的大小先增加后减小,这与XRD测试结果相吻合.PL结果表明,在模式B情况下,随着退火时间的增加,发光峰强度先增加后减小.在325 nm波长下激发,440 nm的发光峰与Au颗粒的大小和数量有关,而523 nm的发光峰与纳米复合膜的结构有关,这与SEM平面图相吻合.实验结果表明,AU/S102纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性与退火温度及退火时间有很强的依赖关系.
採用磁控濺射和退火法在Si(111)襯底上製備Au/SiO2,納米複閤薄膜,併在兩種實驗模式下進行退火處理.模式A:不同的退火溫度,退火20 min;模式B:退火溫度1 000 0C,不同的退火時間.用掃描電子顯微鏡(SEM),X射線衍射方法(XRD)和光緻髮光(PL)等測試手段對退火後的Au/SiO2納米複閤薄膜的錶麵形貌、微觀結構和髮光特性進行瞭分析.SEM結果錶明,在模式A情況下,隨著溫度的增加,Au納米顆粒的大小先增加後減小,這與XRD測試結果相吻閤.PL結果錶明,在模式B情況下,隨著退火時間的增加,髮光峰彊度先增加後減小.在325 nm波長下激髮,440 nm的髮光峰與Au顆粒的大小和數量有關,而523 nm的髮光峰與納米複閤膜的結構有關,這與SEM平麵圖相吻閤.實驗結果錶明,AU/S102納米複閤薄膜的錶麵形貌、微觀結構和髮光特性與退火溫度及退火時間有很彊的依賴關繫.
채용자공천사화퇴화법재Si(111)츤저상제비Au/SiO2,납미복합박막,병재량충실험모식하진행퇴화처리.모식A:불동적퇴화온도,퇴화20 min;모식B:퇴화온도1 000 0C,불동적퇴화시간.용소묘전자현미경(SEM),X사선연사방법(XRD)화광치발광(PL)등측시수단대퇴화후적Au/SiO2납미복합박막적표면형모、미관결구화발광특성진행료분석.SEM결과표명,재모식A정황하,수착온도적증가,Au납미과립적대소선증가후감소,저여XRD측시결과상문합.PL결과표명,재모식B정황하,수착퇴화시간적증가,발광봉강도선증가후감소.재325 nm파장하격발,440 nm적발광봉여Au과립적대소화수량유관,이523 nm적발광봉여납미복합막적결구유관,저여SEM평면도상문합.실험결과표명,AU/S102납미복합박막적표면형모、미관결구화발광특성여퇴화온도급퇴화시간유흔강적의뢰관계.