发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
8期
773-778
,共6页
GaN基倒装LED%光提取效率%光线追踪%双面粗化%AlN缓冲层
GaN基倒裝LED%光提取效率%光線追蹤%雙麵粗化%AlN緩遲層
GaN기도장LED%광제취효솔%광선추종%쌍면조화%AlN완충층
采用蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN基倒装LED芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后、蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下LED光提取效率的变化,并对粗化微元结构和尺寸作了进一步选取与优化.研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底和引入AlN缓冲层均有利于LED光提取效率的提高；蓝宝石衬底双面粗化对提高光提取效率的效果要明显好于单面粗化；表面粗化的结构和尺寸对光提取效率有较大影响,当微元特征尺寸与微元间距相当时,光提取效率较高.
採用矇特卡囉光線追蹤方法,模擬GaN基倒裝LED芯片的光提取效率,比較瞭藍寶石襯底剝離前後、藍寶石單麵粗化和雙麵粗化、有無緩遲層下LED光提取效率的變化,併對粗化微元結構和呎吋作瞭進一步選取與優化.研究結果錶明:採用較厚的藍寶石襯底和引入AlN緩遲層均有利于LED光提取效率的提高；藍寶石襯底雙麵粗化對提高光提取效率的效果要明顯好于單麵粗化；錶麵粗化的結構和呎吋對光提取效率有較大影響,噹微元特徵呎吋與微元間距相噹時,光提取效率較高.
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