微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
1期
7-11,26
,共6页
唐平%廖雷%蒋坤朋%余卫平%覃爱苗
唐平%廖雷%蔣坤朋%餘衛平%覃愛苗
당평%료뢰%장곤붕%여위평%담애묘
硒纳米带%光电响应%溶剂热合成%纳米器件%可见光
硒納米帶%光電響應%溶劑熱閤成%納米器件%可見光
서납미대%광전향응%용제열합성%납미기건%가견광
不加入任何表面活性剂、利用溶解-重结晶原理合成了一维结构的Se纳米带,并用XRD,SEM及TEM等方法对产品进行了表征.以单根的硒纳米带为光电响应材料、以银浆为接触电极组装成纳米器件,并对光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试.结果表明:在可见光(日光灯)照射下,其对开灯的最快响应时间约为30 ms,关灯时最快衰减时间为50 ms.该纳米器件的光电流对温度有依赖作用,低温下有利于光电流的产生；单色光的波长对纳米器件的光电流及响应时间的影响不同,在单色光谱响应范围内,纳米器件在650 nm处产生的光电流最大,而在350 nm处的响应时间最快.
不加入任何錶麵活性劑、利用溶解-重結晶原理閤成瞭一維結構的Se納米帶,併用XRD,SEM及TEM等方法對產品進行瞭錶徵.以單根的硒納米帶為光電響應材料、以銀漿為接觸電極組裝成納米器件,併對光電響應特性以及光譜響應特性進行瞭測試.結果錶明:在可見光(日光燈)照射下,其對開燈的最快響應時間約為30 ms,關燈時最快衰減時間為50 ms.該納米器件的光電流對溫度有依賴作用,低溫下有利于光電流的產生；單色光的波長對納米器件的光電流及響應時間的影響不同,在單色光譜響應範圍內,納米器件在650 nm處產生的光電流最大,而在350 nm處的響應時間最快.
불가입임하표면활성제、이용용해-중결정원리합성료일유결구적Se납미대,병용XRD,SEM급TEM등방법대산품진행료표정.이단근적서납미대위광전향응재료、이은장위접촉전겁조장성납미기건,병대광전향응특성이급광보향응특성진행료측시.결과표명:재가견광(일광등)조사하,기대개등적최쾌향응시간약위30 ms,관등시최쾌쇠감시간위50 ms.해납미기건적광전류대온도유의뢰작용,저온하유리우광전류적산생；단색광적파장대납미기건적광전류급향응시간적영향불동,재단색광보향응범위내,납미기건재650 nm처산생적광전류최대,이재350 nm처적향응시간최쾌.
