科学通报
科學通報
과학통보
CHINESE SCIENCE BULLETIN
2004年
10期
937-941
,共5页
黄爱生%刘杰%李砚硕%林跃生%杨维慎
黃愛生%劉傑%李硯碩%林躍生%楊維慎
황애생%류걸%리연석%림약생%양유신
A型分子筛膜%电泳%水热合成%致密金属%生长机理
A型分子篩膜%電泳%水熱閤成%緻密金屬%生長機理
A형분자사막%전영%수열합성%치밀금속%생장궤리
采用电泳法在致密金属表面合成了A型分子筛膜; 采用XRD和SEM方法表征了膜的性质; 研究了电位大小对合成A型分子筛膜的影响, 提出了在电场中分子筛膜的生长机理. 结果表明, 在电场力的作用下, 反应液中带负电的分子筛粒子均匀、快速地迁移到阳极金属表面形成分子筛膜, 因而可以快速地在致密金属表面合成均匀、致密的分子筛膜. 电位大小对分子筛膜合成有重要影响, 当外加电压为1 V时, 致密金属表面可以合成非常均匀、致密的A型分子筛膜.
採用電泳法在緻密金屬錶麵閤成瞭A型分子篩膜; 採用XRD和SEM方法錶徵瞭膜的性質; 研究瞭電位大小對閤成A型分子篩膜的影響, 提齣瞭在電場中分子篩膜的生長機理. 結果錶明, 在電場力的作用下, 反應液中帶負電的分子篩粒子均勻、快速地遷移到暘極金屬錶麵形成分子篩膜, 因而可以快速地在緻密金屬錶麵閤成均勻、緻密的分子篩膜. 電位大小對分子篩膜閤成有重要影響, 噹外加電壓為1 V時, 緻密金屬錶麵可以閤成非常均勻、緻密的A型分子篩膜.
채용전영법재치밀금속표면합성료A형분자사막; 채용XRD화SEM방법표정료막적성질; 연구료전위대소대합성A형분자사막적영향, 제출료재전장중분자사막적생장궤리. 결과표명, 재전장력적작용하, 반응액중대부전적분자사입자균균、쾌속지천이도양겁금속표면형성분자사막, 인이가이쾌속지재치밀금속표면합성균균、치밀적분자사막. 전위대소대분자사막합성유중요영향, 당외가전압위1 V시, 치밀금속표면가이합성비상균균、치밀적A형분자사막.