中国科学G辑
中國科學G輯
중국과학G집
SCIENCE IN CHINA(SERIES G)
2005年
2期
121-130
,共10页
黄少华%陈张海%柏利慧%王防震%沈学础
黃少華%陳張海%柏利慧%王防震%瀋學礎
황소화%진장해%백리혜%왕방진%침학출
V形槽GaAs/AlGaAs量子线%离子注入%光致发光%偏振%磁阻
V形槽GaAs/AlGaAs量子線%離子註入%光緻髮光%偏振%磁阻
V형조GaAs/AlGaAs양자선%리자주입%광치발광%편진%자조
低温显微偏振光致发光谱的测量表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应,其光致发光呈现约63%的线性偏振度;对量子线样品的低温磁阻测量亦表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,准一维量子线表现出良好的一维输运特性.
低溫顯微偏振光緻髮光譜的測量錶明,經選擇性As+離子註入和快速退火後,V形槽量子線錶現齣良好的一維量子限製效應,其光緻髮光呈現約63%的線性偏振度;對量子線樣品的低溫磁阻測量亦錶明,經選擇性As+離子註入和快速退火後,準一維量子線錶現齣良好的一維輸運特性.
저온현미편진광치발광보적측량표명,경선택성As+리자주입화쾌속퇴화후,V형조양자선표현출량호적일유양자한제효응,기광치발광정현약63%적선성편진도;대양자선양품적저온자조측량역표명,경선택성As+리자주입화쾌속퇴화후,준일유양자선표현출량호적일유수운특성.