半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
10期
782-786
,共5页
刘磊%高珊%陈军宁%柯导明%刘琦%周蚌艳
劉磊%高珊%陳軍寧%柯導明%劉琦%週蚌豔
류뢰%고산%진군저%가도명%류기%주방염
横向扩散金属氧化物半导体%单阶梯场板%双阶梯场板%击穿电压
橫嚮擴散金屬氧化物半導體%單階梯場闆%雙階梯場闆%擊穿電壓
횡향확산금속양화물반도체%단계제장판%쌍계제장판%격천전압
场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.
場闆是高壓LDMOS中普遍使用的一種結終耑技術,對單階梯LDMOS場闆的長度、其下方氧化層厚度以及場氧侵蝕厚度等參數進行瞭模擬和分析,在此基礎上設計瞭一種新型體硅雙階梯場闆LDMOS,併對其具體參數進行瞭細緻的模擬和分析.模擬結果錶明,雙階梯場闆LDMOS的擊穿電壓比單階梯場闆LDMOS提高瞭15.3%,導通電阻降低瞭17.1%,電流驅動能力也提高瞭8.5%.
장판시고압LDMOS중보편사용적일충결종단기술,대단계제LDMOS장판적장도、기하방양화층후도이급장양침식후도등삼수진행료모의화분석,재차기출상설계료일충신형체규쌍계제장판LDMOS,병대기구체삼수진행료세치적모의화분석.모의결과표명,쌍계제장판LDMOS적격천전압비단계제장판LDMOS제고료15.3%,도통전조강저료17.1%,전류구동능력야제고료8.5%.
