电子科技
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전자과기
IT AGE
2009年
4期
69-71
,共3页
GaAs%密度泛函理论%第一性原理
GaAs%密度汎函理論%第一性原理
GaAs%밀도범함이론%제일성원리
为了深入认识GaAs的电子结构和光学性质,计算和分析了GaAs晶体的能带结构、电子态密度、分渡态密度、光学常数,所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面渡赝势方法.研究证明,其具有广泛的应用领域.
為瞭深入認識GaAs的電子結構和光學性質,計算和分析瞭GaAs晶體的能帶結構、電子態密度、分渡態密度、光學常數,所有計算都是基于密度汎函理論(DFT)框架下的第一性原理平麵渡贗勢方法.研究證明,其具有廣汎的應用領域.
위료심입인식GaAs적전자결구화광학성질,계산화분석료GaAs정체적능대결구、전자태밀도、분도태밀도、광학상수,소유계산도시기우밀도범함이론(DFT)광가하적제일성원리평면도안세방법.연구증명,기구유엄범적응용영역.
