真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
6期
739-742
,共4页
反应溅射%TRIDYN程序%AlN薄膜%靶中毒
反應濺射%TRIDYN程序%AlN薄膜%靶中毒
반응천사%TRIDYN정서%AlN박막%파중독
反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,但采用该方法制备在衬底上形成符合计量比的AlN化合物时,在靶材表面也会形成该化合物.这就是所谓的靶中毒现象,该现象会导致溅射产额降低从而引起沉积速率下降,因此是一种不利的影响.为了调查靶中毒的机制,本文采用TRIDYN程序来研究制备AlN薄膜时靶表面化合物的形成过程.结果表明化学吸收和离子注入是中毒层形成的两个主要的机制,但是该两种机制对中毒贡献的程度是不同的.通常情况下可以只考虑离子注入机制.本文还讨论了减小靶中毒的措施,在低压下可以极大地降低靶中毒程度,但为了得到符合化学计量比的AIN薄膜,需要提高衬底和靶材的面积比.
反應磁控濺射方法製備AlN薄膜是一種很普遍的方法,但採用該方法製備在襯底上形成符閤計量比的AlN化閤物時,在靶材錶麵也會形成該化閤物.這就是所謂的靶中毒現象,該現象會導緻濺射產額降低從而引起沉積速率下降,因此是一種不利的影響.為瞭調查靶中毒的機製,本文採用TRIDYN程序來研究製備AlN薄膜時靶錶麵化閤物的形成過程.結果錶明化學吸收和離子註入是中毒層形成的兩箇主要的機製,但是該兩種機製對中毒貢獻的程度是不同的.通常情況下可以隻攷慮離子註入機製.本文還討論瞭減小靶中毒的措施,在低壓下可以極大地降低靶中毒程度,但為瞭得到符閤化學計量比的AIN薄膜,需要提高襯底和靶材的麵積比.
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