微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
1期
37-39,57
,共4页
溶胶-凝胶%BDT薄膜%预退火%铁电性%有机
溶膠-凝膠%BDT薄膜%預退火%鐵電性%有機
용효-응효%BDT박막%예퇴화%철전성%유궤
介绍了溶胶一凝胶法制备掺Dy元素的Bi4Ti3O12(Bi34Dy0.6Ti3O12,BDT)薄膜的工艺过程,并研究了不同预退火气氛对沉积在Pt/Ti/SiO2/Si基片上的BDT薄膜铁电性能的影响.空气中的预退火,薄膜中的H,C等有机成分分解不彻底,有部分残留在薄膜中;而O2气氛下的预退火,由于O2充足,薄膜中的有机成分可以完全分解.退火过程中BDT薄膜晶粒的生长和取向可以受到残留的有机成分的影响,进而对BDT薄膜的铁电性有较为显著的影响.在外加400 kV/cm的电场时,空气中预退火的BDT薄膜的剩余极化(2Pr)值和矫顽场(Ec)分别为26.37 μC/cm2和114.2 kV/cm,而O2气氛下预退火的BDT薄膜的2 Pr和Ec分别为36.28μC/cm2和113.6 kV/cm,表明O2气氛下预退火可显著提高BDT薄膜的剩余极化值,改善其铁电性能.
介紹瞭溶膠一凝膠法製備摻Dy元素的Bi4Ti3O12(Bi34Dy0.6Ti3O12,BDT)薄膜的工藝過程,併研究瞭不同預退火氣氛對沉積在Pt/Ti/SiO2/Si基片上的BDT薄膜鐵電性能的影響.空氣中的預退火,薄膜中的H,C等有機成分分解不徹底,有部分殘留在薄膜中;而O2氣氛下的預退火,由于O2充足,薄膜中的有機成分可以完全分解.退火過程中BDT薄膜晶粒的生長和取嚮可以受到殘留的有機成分的影響,進而對BDT薄膜的鐵電性有較為顯著的影響.在外加400 kV/cm的電場時,空氣中預退火的BDT薄膜的剩餘極化(2Pr)值和矯頑場(Ec)分彆為26.37 μC/cm2和114.2 kV/cm,而O2氣氛下預退火的BDT薄膜的2 Pr和Ec分彆為36.28μC/cm2和113.6 kV/cm,錶明O2氣氛下預退火可顯著提高BDT薄膜的剩餘極化值,改善其鐵電性能.
개소료용효일응효법제비참Dy원소적Bi4Ti3O12(Bi34Dy0.6Ti3O12,BDT)박막적공예과정,병연구료불동예퇴화기분대침적재Pt/Ti/SiO2/Si기편상적BDT박막철전성능적영향.공기중적예퇴화,박막중적H,C등유궤성분분해불철저,유부분잔류재박막중;이O2기분하적예퇴화,유우O2충족,박막중적유궤성분가이완전분해.퇴화과정중BDT박막정립적생장화취향가이수도잔류적유궤성분적영향,진이대BDT박막적철전성유교위현저적영향.재외가400 kV/cm적전장시,공기중예퇴화적BDT박막적잉여겁화(2Pr)치화교완장(Ec)분별위26.37 μC/cm2화114.2 kV/cm,이O2기분하예퇴화적BDT박막적2 Pr화Ec분별위36.28μC/cm2화113.6 kV/cm,표명O2기분하예퇴화가현저제고BDT박막적잉여겁화치,개선기철전성능.
