半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
9期
966-971
,共6页
江波%何平%田立林%林羲
江波%何平%田立林%林羲
강파%하평%전립림%림희
SOI%DSOI%MOSFET%器件结构%模拟
SOI%DSOI%MOSFET%器件結構%模擬
SOI%DSOI%MOSFET%기건결구%모의
提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能.
提齣一種改進的DSOI結構,在保留DSOI解決浮體效應和散熱問題的基礎上,能提高電路速度和驅動能力等器件性能.採用不完全除去溝道下絕緣層的辦法,使DSOI器件的結構更接近SOI.採用準二維器件模擬器MEDICI對結構進行模擬,結果證明這種改進後的結構使器件具有更優越的性能.
제출일충개진적DSOI결구,재보류DSOI해결부체효응화산열문제적기출상,능제고전로속도화구동능력등기건성능.채용불완전제거구도하절연층적판법,사DSOI기건적결구경접근SOI.채용준이유기건모의기MEDICI대결구진행모의,결과증명저충개진후적결구사기건구유경우월적성능.
