氢化微晶硅薄膜制备过程中的氧污染问题
경화미정규박막제비과정중적양오염문제
INVESTIGATION ON THE OXYGEN CONTAMINATION DURING THE DEPOSITION OF μ-Si:H THIN FILM BY VHF-PECVD
  • 万方数据
    太阳能学报 태양능학보
    ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
    2003年 z1期 5-8 ,共4页

    杨恢东%吴春亚%赵颖%麦耀华%张晓丹%薛俊明%任慧志%耿新华%熊绍珍

    양회동%오춘아%조영%맥요화%장효단%설준명%임혜지%경신화%웅소진

    氢化微晶硅薄膜%甚高频等离子体增强化学气相沉积%光发射谱%氧污染 氫化微晶硅薄膜%甚高頻等離子體增彊化學氣相沉積%光髮射譜%氧汙染
    경화미정규박막%심고빈등리자체증강화학기상침적%광발사보%양오염
    采用光发射谱(OES)测量技术,实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜沉积的氧污染程度.样品的X光电子能谱(XPS)与傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR)测量结果表明:不同氧污染条件下制备所制备μc-Si:H薄膜中,氧以不同的键合模式存在.氧污染程度较低时,氧主要表现为O-O与O-H键合;氧污染严重时,则以Si-O键合占主导.通过Raman光谱、电导率与激活能的测量进一步发现:μc-Si:H薄膜的结构特性与电学特性随沉积过程中氧污染程度不同发生显著的变化,而且这种变化不同于氧污染对a-Si:H薄膜的影响.
    채용광발사보(OES)측량기술,실시감측료불동본저진공제비조건하경화미정규(μc-Si:H)박막침적적양오염정도.양품적X광전자능보(XPS)여부립협변환홍외흡수광보(FTIR)측량결과표명:불동양오염조건하제비소제비μc-Si:H박막중,양이불동적건합모식존재.양오염정도교저시,양주요표현위O-O여O-H건합;양오염엄중시,칙이Si-O건합점주도.통과Raman광보、전도솔여격활능적측량진일보발현:μc-Si:H박막적결구특성여전학특성수침적과정중양오염정도불동발생현저적변화,이차저충변화불동우양오염대a-Si:H박막적영향.
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