硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2004年
5期
603-607
,共5页
徐悟生%许士文%李宣东%王岩%徐玉恒
徐悟生%許士文%李宣東%王巖%徐玉恆
서오생%허사문%리선동%왕암%서옥항
掺杂铌酸锂晶体%吸收光谱%红外透射光谱%光损伤
摻雜鈮痠鋰晶體%吸收光譜%紅外透射光譜%光損傷
참잡니산리정체%흡수광보%홍외투사광보%광손상
测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况.在In3+的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi4+位;在掺入量高于阈值3%时,In3+占据NbNb位和LiLi位.利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In3+掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级.通过In3+的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理.
測量瞭摻In繫列LiNbO3晶體的吸收光譜和紅外透射光譜,研究瞭In離子在摻In繫列的固液同成分配比LiNbO3晶體中的佔位情況.在In3+的摻入量低于閾值3%(摩爾分數)時,In離子佔據NbLi4+位;在摻入量高于閾值3%時,In3+佔據NbNb位和LiLi位.利用光斑畸變法得到摻In繫列LiNbO3晶體的抗光損傷能力,髮現在In3+摻入量高于閾值3%時的抗光損傷能力增彊,比摻入量低于閾值的晶體高1～3箇數量級.通過In3+的佔位情況討論瞭In繫列摻雜LiNbO3晶體抗光損傷能力增彊的機理.
측량료참In계렬LiNbO3정체적흡수광보화홍외투사광보,연구료In리자재참In계렬적고액동성분배비LiNbO3정체중적점위정황.재In3+적참입량저우역치3%(마이분수)시,In리자점거NbLi4+위;재참입량고우역치3%시,In3+점거NbNb위화LiLi위.이용광반기변법득도참In계렬LiNbO3정체적항광손상능력,발현재In3+참입량고우역치3%시적항광손상능력증강,비참입량저우역치적정체고1～3개수량급.통과In3+적점위정황토론료In계렬참잡LiNbO3정체항광손상능력증강적궤리.
