发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
4期
519-525
,共7页
垂直腔面发射激光器%激光器阵列器件%质子注入
垂直腔麵髮射激光器%激光器陣列器件%質子註入
수직강면발사격광기%격광기진렬기건%질자주입
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法,实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用.一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉格反射镜(DBR)两次较浅的质子注人形成高电阻区域实现对阵列中单元器件间的隔离,另一方面通过再次的两次较深度的可以达到有源区上表面的质子注入形成高电阻区域实现对单元器件注入电流的限制.由瞬态热传导方程对阵列中单元器件间的热相互作用进行了理论分析.采用四次质子注入工艺实现了2×2、3×3简单的二维GaAs/AlGaAs量子阱VCSEL阵列,并对器件的激射近场、光谱特性及功率等进行了测量.
設計齣四次質子註入工藝製備垂直腔麵髮射激光器(VCSEL)陣列的方法,實現瞭對陣列中單元器件間的隔離以及對單元器件註入電流限製的分彆作用.一方麵通過對VCSEL外延片上分佈佈拉格反射鏡(DBR)兩次較淺的質子註人形成高電阻區域實現對陣列中單元器件間的隔離,另一方麵通過再次的兩次較深度的可以達到有源區上錶麵的質子註入形成高電阻區域實現對單元器件註入電流的限製.由瞬態熱傳導方程對陣列中單元器件間的熱相互作用進行瞭理論分析.採用四次質子註入工藝實現瞭2×2、3×3簡單的二維GaAs/AlGaAs量子阱VCSEL陣列,併對器件的激射近場、光譜特性及功率等進行瞭測量.
설계출사차질자주입공예제비수직강면발사격광기(VCSEL)진렬적방법,실현료대진렬중단원기건간적격리이급대단원기건주입전류한제적분별작용.일방면통과대VCSEL외연편상분포포랍격반사경(DBR)량차교천적질자주인형성고전조구역실현대진렬중단원기건간적격리,령일방면통과재차적량차교심도적가이체도유원구상표면적질자주입형성고전조구역실현대단원기건주입전류적한제.유순태열전도방정대진렬중단원기건간적열상호작용진행료이론분석.채용사차질자주입공예실현료2×2、3×3간단적이유GaAs/AlGaAs양자정VCSEL진렬,병대기건적격사근장、광보특성급공솔등진행료측량.
