半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
8期
650-652
,共3页
任冬玲%张鹤鸣%舒斌%户秋瑾%宋建军
任鼕玲%張鶴鳴%舒斌%戶鞦瑾%宋建軍
임동령%장학명%서빈%호추근%송건군
应变Si%应力引入%衬底致双轴应变%工艺致单轴应变
應變Si%應力引入%襯底緻雙軸應變%工藝緻單軸應變
응변Si%응력인입%츤저치쌍축응변%공예치단축응변
介绍了应变Si材料的需求背景和必要性.阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高.简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析.
介紹瞭應變Si材料的需求揹景和必要性.闡述瞭在MOS器件中使用襯底緻雙軸應變後器件性能的改善,在總結瞭與工藝緻單軸應變相比襯底緻雙軸應變的不足以及工藝緻單軸應變的優勢之後,講述瞭基于SiGe源漏和基于雙應力線的兩種工藝緻單軸應變技術及其對MOS器件性能的提高.簡單介紹瞭國際上近年來對應變Si材料與器件的研究髮展狀況和應變Si技術達到的各種水平,以及國內對應變Si的研究狀況,併對應變Si技術的使用優勢和應用前景做瞭簡單分析.
개소료응변Si재료적수구배경화필요성.천술료재MOS기건중사용츤저치쌍축응변후기건성능적개선,재총결료여공예치단축응변상비츤저치쌍축응변적불족이급공예치단축응변적우세지후,강술료기우SiGe원루화기우쌍응력선적량충공예치단축응변기술급기대MOS기건성능적제고.간단개소료국제상근년래대응변Si재료여기건적연구발전상황화응변Si기술체도적각충수평,이급국내대응변Si적연구상황,병대응변Si기술적사용우세화응용전경주료간단분석.
