哈尔滨理工大学学报
哈爾濱理工大學學報
합이빈리공대학학보
JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
2期
114-117
,共4页
赵祥敏%李敏君%张伟%赵文海
趙祥敏%李敏君%張偉%趙文海
조상민%리민군%장위%조문해
缓冲层%ZnO薄膜%射频磁控溅射
緩遲層%ZnO薄膜%射頻磁控濺射
완충층%ZnO박막%사빈자공천사
实验采用射频磁控溅射技术,制备了不同溅射时间下AIN缓冲层的ZnO薄膜,研究了薄膜的结构、形貌及电学性能.结果表明,不同溅射时间下AIN缓冲层ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,而且当缓冲层溅射时间为60min时,ZnO薄膜的结构和电学性能最好.
實驗採用射頻磁控濺射技術,製備瞭不同濺射時間下AIN緩遲層的ZnO薄膜,研究瞭薄膜的結構、形貌及電學性能.結果錶明,不同濺射時間下AIN緩遲層ZnO薄膜的生長依然是(002)擇優取嚮,而且噹緩遲層濺射時間為60min時,ZnO薄膜的結構和電學性能最好.
실험채용사빈자공천사기술,제비료불동천사시간하AIN완충층적ZnO박막,연구료박막적결구、형모급전학성능.결과표명,불동천사시간하AIN완충층ZnO박막적생장의연시(002)택우취향,이차당완충층천사시간위60min시,ZnO박막적결구화전학성능최호.
