电子科技
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전자과기
IT AGE
2010年
6期
19-21
,共3页
SiCOI%MESFET%结构参数
SiCOI%MESFET%結構參數
SiCOI%MESFET%결구삼수
提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOI MESFET器件结构与模型.使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析.结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响.同时,还对SiCOI MESFET器件的击穿特性进行了模拟.这些电学特性数据为进一步设计及优化SiCOI MESFET器件提供理论基础.
提齣瞭一種新的器件結構-SiCOI結構,即硅襯底上外延SiC製造MESFET器件,併建立瞭SiCOI MESFET器件結構與模型.使用ISE-TCAD二維器件倣真軟件,對SiCOI MESFET的電學特性進行模擬分析.結果錶明,通過調整器件結構參數,例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區厚度等,對器件轉移特性、輸齣特性有較大影響.同時,還對SiCOI MESFET器件的擊穿特性進行瞭模擬.這些電學特性數據為進一步設計及優化SiCOI MESFET器件提供理論基礎.
제출료일충신적기건결구-SiCOI결구,즉규츤저상외연SiC제조MESFET기건,병건립료SiCOI MESFET기건결구여모형.사용ISE-TCAD이유기건방진연건,대SiCOI MESFET적전학특성진행모의분석.결과표명,통과조정기건결구삼수,례여문겁책장、유원층참잡농도、유원구후도등,대기건전이특성、수출특성유교대영향.동시,환대SiCOI MESFET기건적격천특성진행료모의.저사전학특성수거위진일보설계급우화SiCOI MESFET기건제공이론기출.
