机械制造
機械製造
궤계제조
MACHINERY
2010年
12期
88-91
,共4页
钨%化学机械抛光%抛光效果%化学成分
鎢%化學機械拋光%拋光效果%化學成分
오%화학궤계포광%포광효과%화학성분
化学机械抛光工艺(CMP)能够更好地满足光刻对平坦度的要求,因而被广泛应用于半导体制造工艺中.化学机械抛光液的不同成分将会直接影响到钨的抛光效果,从而影响到超大规模集成电路(ULSI)制备的成品率和可靠性.通过调配不同的氧化剂、蚀刻剂和配位剂组成的抛光液,进行抛光加工实验.当氧化剂和蚀刻剂含量比较低时,随着氧化剂和蚀刻剂的含量增加,抛光效果近似线性的提高,达到一定值以后,随着氧化剂的继续增加,抛光效果反而下降.当氧化剂H2O:的含量为4% ,Fe(N03),浓度为0.05%时抛光效果最佳.使用浓度为20%的2μm的A1_2O,磨粒,抛光最后表面粗糙度R:能达到0.198 nm.
化學機械拋光工藝(CMP)能夠更好地滿足光刻對平坦度的要求,因而被廣汎應用于半導體製造工藝中.化學機械拋光液的不同成分將會直接影響到鎢的拋光效果,從而影響到超大規模集成電路(ULSI)製備的成品率和可靠性.通過調配不同的氧化劑、蝕刻劑和配位劑組成的拋光液,進行拋光加工實驗.噹氧化劑和蝕刻劑含量比較低時,隨著氧化劑和蝕刻劑的含量增加,拋光效果近似線性的提高,達到一定值以後,隨著氧化劑的繼續增加,拋光效果反而下降.噹氧化劑H2O:的含量為4% ,Fe(N03),濃度為0.05%時拋光效果最佳.使用濃度為20%的2μm的A1_2O,磨粒,拋光最後錶麵粗糙度R:能達到0.198 nm.
화학궤계포광공예(CMP)능구경호지만족광각대평탄도적요구,인이피엄범응용우반도체제조공예중.화학궤계포광액적불동성분장회직접영향도오적포광효과,종이영향도초대규모집성전로(ULSI)제비적성품솔화가고성.통과조배불동적양화제、식각제화배위제조성적포광액,진행포광가공실험.당양화제화식각제함량비교저시,수착양화제화식각제적함량증가,포광효과근사선성적제고,체도일정치이후,수착양화제적계속증가,포광효과반이하강.당양화제H2O:적함량위4% ,Fe(N03),농도위0.05%시포광효과최가.사용농도위20%적2μm적A1_2O,마립,포광최후표면조조도R:능체도0.198 nm.
