真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2004年
3期
187-190
,共4页
ZnO薄膜%PECVD%退火温度%激子发射%蓝移
ZnO薄膜%PECVD%退火溫度%激子髮射%藍移
ZnO박막%PECVD%퇴화온도%격자발사%람이
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系,为了获得高质量的晶体薄膜,采用PECVD方法在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度为120℃,然后分别在氧气环境下退火(600℃～1000℃)1 h.X射线衍射谱和原子力显微镜(AFM)照片结果表明随着退火温度的升高,晶体择优取向明显,晶粒平均尺寸增大,到900℃时,晶粒平均尺寸达到38 nm.光致发光谱的结果表明,随着退火温度的升高,发光峰的半高宽(FWHM)逐渐地变窄,到900℃时,达到92meV,晶体质量得到了明显提高.通过对变温光谱的拟合计算,得到激子束缚能为59 meV,表明紫外发射来自于自由激子辐射复合.
研究ZnO薄膜質量與退火溫度的關繫,為瞭穫得高質量的晶體薄膜,採用PECVD方法在硅(100)襯底上生長ZnO薄膜,生長溫度為120℃,然後分彆在氧氣環境下退火(600℃～1000℃)1 h.X射線衍射譜和原子力顯微鏡(AFM)照片結果錶明隨著退火溫度的升高,晶體擇優取嚮明顯,晶粒平均呎吋增大,到900℃時,晶粒平均呎吋達到38 nm.光緻髮光譜的結果錶明,隨著退火溫度的升高,髮光峰的半高寬(FWHM)逐漸地變窄,到900℃時,達到92meV,晶體質量得到瞭明顯提高.通過對變溫光譜的擬閤計算,得到激子束縳能為59 meV,錶明紫外髮射來自于自由激子輻射複閤.
연구ZnO박막질량여퇴화온도적관계,위료획득고질량적정체박막,채용PECVD방법재규(100)츤저상생장ZnO박막,생장온도위120℃,연후분별재양기배경하퇴화(600℃～1000℃)1 h.X사선연사보화원자력현미경(AFM)조편결과표명수착퇴화온도적승고,정체택우취향명현,정립평균척촌증대,도900℃시,정립평균척촌체도38 nm.광치발광보적결과표명,수착퇴화온도적승고,발광봉적반고관(FWHM)축점지변착,도900℃시,체도92meV,정체질량득도료명현제고.통과대변온광보적의합계산,득도격자속박능위59 meV,표명자외발사래자우자유격자복사복합.
