半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
1期
68-71,75
,共5页
王军%林慧%杨刚%蒋亚东%张有润
王軍%林慧%楊剛%蔣亞東%張有潤
왕군%림혜%양강%장아동%장유윤
薄膜%氧化铟锡%正交试验法%直流磁控溅射
薄膜%氧化銦錫%正交試驗法%直流磁控濺射
박막%양화인석%정교시험법%직류자공천사
利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验.测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大.分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.322 4 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427 ℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227 ℃.在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17 Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω·cm,在可见光区域平均透过率为85.13%.
利用直流磁控濺射繫統製備ITO薄膜,採用正交試驗錶格L32(48)安排試驗.測試瞭薄膜的方阻和透過率,分析瞭8箇工藝參數對薄膜電光特性的影響,其中沉積氣壓、氬氧流量比和退火溫度的影響最大.分析得到優化工藝參數為:沉積氣壓2×133.322 4 mPa、氬氧流量比16∶0.5、退火溫度427 ℃、靶基間距15、退火時間1 h、濺射功率300 W、退火氛圍為真空、沉積溫度227 ℃.在此工藝參數下製備的ITO薄膜方阻為17 Ω/□,電阻率為1.87×10-4Ω·cm,在可見光區域平均透過率為85.13%.
이용직류자공천사계통제비ITO박막,채용정교시험표격L32(48)안배시험.측시료박막적방조화투과솔,분석료8개공예삼수대박막전광특성적영향,기중침적기압、아양류량비화퇴화온도적영향최대.분석득도우화공예삼수위:침적기압2×133.322 4 mPa、아양류량비16∶0.5、퇴화온도427 ℃、파기간거15、퇴화시간1 h、천사공솔300 W、퇴화분위위진공、침적온도227 ℃.재차공예삼수하제비적ITO박막방조위17 Ω/□,전조솔위1.87×10-4Ω·cm,재가견광구역평균투과솔위85.13%.
