半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
3期
206-209
,共4页
黄亚军%刘志强%伊晓燕%王良臣%王军喜%李晋闽
黃亞軍%劉誌彊%伊曉燕%王良臣%王軍喜%李晉閩
황아군%류지강%이효연%왕량신%왕군희%리진민
GaN%垂直结构LED%提取效率%双层掩膜%刻蚀
GaN%垂直結構LED%提取效率%雙層掩膜%刻蝕
GaN%수직결구LED%제취효솔%쌍층엄막%각식
为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注.由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输.对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升.实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合.本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义.
為瞭提升垂直結構LED提取效率,針對器件側壁齣光的研究越髮引起研究人員的關註.由于GaN的高摺射率,大部分有源區髮齣的光線將被限製在GaN層內橫嚮傳輸.對不同刻蝕傾角側麵的光提取效率進行分析模擬,模擬結果顯示,LED的提取效率可以通過側壁傾斜角度的優化得以提升.實驗結果錶明,特定側壁傾角器件的提取效率相比較垂直側壁提高瞭18.75%,電緻髮光光譜測試(EL)結果錶明,實驗結論與理論計算值基本吻閤.本結論對垂直結構GaN基LED器件的優化設計與性能提升有重要指導意義.
위료제승수직결구LED제취효솔,침대기건측벽출광적연구월발인기연구인원적관주.유우GaN적고절사솔,대부분유원구발출적광선장피한제재GaN층내횡향전수.대불동각식경각측면적광제취효솔진행분석모의,모의결과현시,LED적제취효솔가이통과측벽경사각도적우화득이제승.실험결과표명,특정측벽경각기건적제취효솔상비교수직측벽제고료18.75%,전치발광광보측시(EL)결과표명,실험결론여이론계산치기본문합.본결론대수직결구GaN기LED기건적우화설계여성능제승유중요지도의의.
