高分子材料科学与工程
高分子材料科學與工程
고분자재료과학여공정
POLYMER MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING
2004年
2期
144-147
,共4页
盂凡君%茹淼焱%刘爱祥%刘宗林%孟霞
盂凡君%茹淼焱%劉愛祥%劉宗林%孟霞
우범군%여묘염%류애상%류종림%맹하
雷达吸收%聚硅氮烷%Si-C-N陶瓷%甲基氯硅烷%苯基氯硅烷%氨解%磁性材料
雷達吸收%聚硅氮烷%Si-C-N陶瓷%甲基氯硅烷%苯基氯硅烷%氨解%磁性材料
뢰체흡수%취규담완%Si-C-N도자%갑기록규완%분기록규완%안해%자성재료
氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8 GHz~12 GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化.当将Si-C-N陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚度2.20 mm的吸收层,面密度仅为2.86 kg/m2,在10.47 GHz处吸收可达-28.84 dB,证明了阻抗匹配在研制雷达吸收材料方面的重要性,并提出Si-C-N陶瓷与μ′、μ″值更高的磁性材料复合,吸收性能将会得到更大的提高.
氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷單體可得到聚硅氮烷前驅體,其高溫裂解和毬磨後穫得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8 GHz~12 GHz)的雷達波,其吸收性能隨氯硅烷單體的配比不同而變化.噹將Si-C-N陶瓷粉末與磁性材料複閤後,吸收性能大為改進,厚度2.20 mm的吸收層,麵密度僅為2.86 kg/m2,在10.47 GHz處吸收可達-28.84 dB,證明瞭阻抗匹配在研製雷達吸收材料方麵的重要性,併提齣Si-C-N陶瓷與μ′、μ″值更高的磁性材料複閤,吸收性能將會得到更大的提高.
안해갑기록규완화분기록규완단체가득도취규담완전구체,기고온렬해화구마후획득적Si-C-N도자분말능흡수X파단(8 GHz~12 GHz)적뢰체파,기흡수성능수록규완단체적배비불동이변화.당장Si-C-N도자분말여자성재료복합후,흡수성능대위개진,후도2.20 mm적흡수층,면밀도부위2.86 kg/m2,재10.47 GHz처흡수가체-28.84 dB,증명료조항필배재연제뢰체흡수재료방면적중요성,병제출Si-C-N도자여μ′、μ″치경고적자성재료복합,흡수성능장회득도경대적제고.