微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2004年
7期
20-22
,共3页
信春雨%刘振刚%于美燕%李凯%盖利刚%王琪珑
信春雨%劉振剛%于美燕%李凱%蓋利剛%王琪瓏
신춘우%류진강%우미연%리개%개리강%왕기롱
GaP纳米晶%溶剂热合成%微观形貌
GaP納米晶%溶劑熱閤成%微觀形貌
GaP납미정%용제열합성%미관형모
在苯热条件下,以金属镓和白磷为原料直接反应合成了GaP纳米晶,并研究了反应温度对GaP纳米晶物相的影响.微观形貌观测结果则表明,在400℃合成的GaP纳米晶体粒度均匀,而且团聚现象较少.当温度为300℃时,GaP纳米晶的结晶质量较差,而当温度升高到500℃时,GaP纳米晶的结晶完整性得到改善,但是颗粒团聚现象变得比较严重.
在苯熱條件下,以金屬鎵和白燐為原料直接反應閤成瞭GaP納米晶,併研究瞭反應溫度對GaP納米晶物相的影響.微觀形貌觀測結果則錶明,在400℃閤成的GaP納米晶體粒度均勻,而且糰聚現象較少.噹溫度為300℃時,GaP納米晶的結晶質量較差,而噹溫度升高到500℃時,GaP納米晶的結晶完整性得到改善,但是顆粒糰聚現象變得比較嚴重.
재분열조건하,이금속가화백린위원료직접반응합성료GaP납미정,병연구료반응온도대GaP납미정물상적영향.미관형모관측결과칙표명,재400℃합성적GaP납미정체립도균균,이차단취현상교소.당온도위300℃시,GaP납미정적결정질량교차,이당온도승고도500℃시,GaP납미정적결정완정성득도개선,단시과립단취현상변득비교엄중.
