功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2005年
3期
327-332
,共6页
刘延祥%夏冠群%唐绍裘%李志怀%程宗权
劉延祥%夏冠群%唐紹裘%李誌懷%程宗權
류연상%하관군%당소구%리지부%정종권
抗反膜%GaInAsSb/GaSb%反射率I-V%黑体探测率
抗反膜%GaInAsSb/GaSb%反射率I-V%黑體探測率
항반막%GaInAsSb/GaSb%반사솔I-V%흑체탐측솔
简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜.膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN 红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高.
簡單介紹瞭單層抗反膜的增透原理,併以Si片作為基片採用磁控濺射的方法製備瞭Al2O3、SiO2和ZrO2三種抗反膜.膜層的反射率測試結果錶明:生長ZrO2膜後錶麵反射率下降可達30%;同時通過對GaInAsSb/GaSb PIN 紅外探測器蒸鍍抗反膜前後的器件的I-V特性及黑體探測率的測試錶明:蒸鍍ZrO2膜後GaInAsSb/GaSb PIN 紅外探測器的黑體探測率平均提高瞭60.28%,遠大于蒸鍍Al2O3、SiO2後的48.91%和40.04%,說明ZrO2膜是一種較理想的單層抗反膜,使器件性能有所提高.
간단개소료단층항반막적증투원리,병이Si편작위기편채용자공천사적방법제비료Al2O3、SiO2화ZrO2삼충항반막.막층적반사솔측시결과표명:생장ZrO2막후표면반사솔하강가체30%;동시통과대GaInAsSb/GaSb PIN 홍외탐측기증도항반막전후적기건적I-V특성급흑체탐측솔적측시표명:증도ZrO2막후GaInAsSb/GaSb PIN 홍외탐측기적흑체탐측솔평균제고료60.28%,원대우증도Al2O3、SiO2후적48.91%화40.04%,설명ZrO2막시일충교이상적단층항반막,사기건성능유소제고.
