高能物理与核物理
高能物理與覈物理
고능물리여핵물리
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS
2006年
1期
84-87
,共4页
周春兰%张天保%马创新%章志明%曹兴忠%王宝义%魏龙
週春蘭%張天保%馬創新%章誌明%曹興忠%王寶義%魏龍
주춘란%장천보%마창신%장지명%조흥충%왕보의%위룡
慢正电子束流%孔隙%电子偶素%介孔材料%薄膜
慢正電子束流%孔隙%電子偶素%介孔材料%薄膜
만정전자속류%공극%전자우소%개공재료%박막
在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限.例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂.本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I3γ参数,建立了从能谱中获得I3γ参数值的方法.以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I3γ参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.
在慢正電子束研究錶麵的實驗中,一般仍使用高純Ge γ譜儀測量正電子湮沒多普勒展寬能譜,對能譜的分析採用線形參數S,W,這些參數提供的信息有限.例如,噹電子與正電子在材料中形成電子偶素時,簡單的線形參數非但不能錶徵它們,反而因它們的存在使得分析變得複雜.本工作在對多普勒展寬能譜進行數據處理的過程中,引入正態電子偶素自衰變彊度I3γ參數,建立瞭從能譜中穫得I3γ參數值的方法.以標準樣品為基準,選用Ag蓋帽的氣凝硅膠進行I3γ參數計算,工作錶明新參數對研究介孔材料及納米薄膜能提供更豐富的信息.
재만정전자속연구표면적실험중,일반잉사용고순Ge γ보의측량정전자인몰다보륵전관능보,대능보적분석채용선형삼수S,W,저사삼수제공적신식유한.례여,당전자여정전자재재료중형성전자우소시,간단적선형삼수비단불능표정타문,반이인타문적존재사득분석변득복잡.본공작재대다보륵전관능보진행수거처리적과정중,인입정태전자우소자쇠변강도I3γ삼수,건립료종능보중획득I3γ삼수치적방법.이표준양품위기준,선용Ag개모적기응규효진행I3γ삼수계산,공작표명신삼수대연구개공재료급납미박막능제공경봉부적신식.
