固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
3期
307-311
,共5页
张万里%汤如俊%张文旭%彭斌
張萬裏%湯如俊%張文旭%彭斌
장만리%탕여준%장문욱%팽빈
磁性随机存储器%字线%位线%磁场分布
磁性隨機存儲器%字線%位線%磁場分佈
자성수궤존저기%자선%위선%자장분포
根据磁性随机存储器(MRAM)设计的实际需要,建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型.利用该模型讨论了存储单元与位线间距离(d1),字、位线宽度(w)及字、位线厚度(t )对存储单元自由层表面磁场分布的影响.结果表明,d1或w增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都减小.t增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都增大.其中d1对磁场分布的影响程序是最大的.该模型为MRAM更精确的器件模拟及器件结构的优化设计工作提供了必要的基础.
根據磁性隨機存儲器(MRAM)設計的實際需要,建立瞭MRAM中相互垂直的字線和位線電流所產生的磁場的解析分佈模型.利用該模型討論瞭存儲單元與位線間距離(d1),字、位線寬度(w)及字、位線厚度(t )對存儲單元自由層錶麵磁場分佈的影響.結果錶明,d1或w增大時,自由層錶麵磁場的彊度及非均勻程度都減小.t增大時,自由層錶麵磁場的彊度及非均勻程度都增大.其中d1對磁場分佈的影響程序是最大的.該模型為MRAM更精確的器件模擬及器件結構的優化設計工作提供瞭必要的基礎.
근거자성수궤존저기(MRAM)설계적실제수요,건립료MRAM중상호수직적자선화위선전류소산생적자장적해석분포모형.이용해모형토론료존저단원여위선간거리(d1),자、위선관도(w)급자、위선후도(t )대존저단원자유층표면자장분포적영향.결과표명,d1혹w증대시,자유층표면자장적강도급비균균정도도감소.t증대시,자유층표면자장적강도급비균균정도도증대.기중d1대자장분포적영향정서시최대적.해모형위MRAM경정학적기건모의급기건결구적우화설계공작제공료필요적기출.
