稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2006年
4期
429-431
,共3页
磁电阻%碳膜%硅
磁電阻%碳膜%硅
자전조%탄막%규
利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si.Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化.当温度T＜258 K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258 K＜T＜340 K时,该材料的MR为正值,在室温磁场为1 T时,该材料的正MR可以大于20%.且在不同的温度范围中,该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点:在T=280和300 K时,当磁场小于1 T时,MR随磁场的增加而快速增加,之后随磁场的继续增加MR增加开始变得缓慢;在T=350 K时,MR近似以磁场的B1.5的规律变化;而在T=30 K时,MR为负值且其大小随磁场的增加而减小.利用双通道模型对该MR效应进行了初步解释.
利用激光脈遲沉積(PLD)方法製備瞭沉積于硅基片上的摻雜過渡金屬的非晶碳膜結構Fex-C1-x/Si.Fex-C1-x/Si的磁電阻(MR)可正可負,隨溫度而變化.噹溫度T＜258 K時,Fe0.011-C0.989/Si的MR為負值;噹258 K＜T＜340 K時,該材料的MR為正值,在室溫磁場為1 T時,該材料的正MR可以大于20%.且在不同的溫度範圍中,該材料的MR和外加磁場的依存關繫呈現齣不同的特點:在T=280和300 K時,噹磁場小于1 T時,MR隨磁場的增加而快速增加,之後隨磁場的繼續增加MR增加開始變得緩慢;在T=350 K時,MR近似以磁場的B1.5的規律變化;而在T=30 K時,MR為負值且其大小隨磁場的增加而減小.利用雙通道模型對該MR效應進行瞭初步解釋.
이용격광맥충침적(PLD)방법제비료침적우규기편상적참잡과도금속적비정탄막결구Fex-C1-x/Si.Fex-C1-x/Si적자전조(MR)가정가부,수온도이변화.당온도T＜258 K시,Fe0.011-C0.989/Si적MR위부치;당258 K＜T＜340 K시,해재료적MR위정치,재실온자장위1 T시,해재료적정MR가이대우20%.차재불동적온도범위중,해재료적MR화외가자장적의존관계정현출불동적특점:재T=280화300 K시,당자장소우1 T시,MR수자장적증가이쾌속증가,지후수자장적계속증가MR증가개시변득완만;재T=350 K시,MR근사이자장적B1.5적규률변화;이재T=30 K시,MR위부치차기대소수자장적증가이감소.이용쌍통도모형대해MR효응진행료초보해석.
