电子工程师
電子工程師
전자공정사
ELECTRONIC ENGINEER
2006年
10期
24-26,32
,共4页
X波段%PHEMT%微波单片集成电路
X波段%PHEMT%微波單片集成電路
X파단%PHEMT%미파단편집성전로
研究了微波PHEMT(假晶型高电子迁移率晶体管)的非线性模型提取技术和CAD设计优化技术,采用3级放大的拓扑结构,设计了输入、级间和输出匹配网络以及偏置电路和拓扑结构,在尽可能小的尺寸上实现了工作频率范围为9 GHz～11GHz、增益大于33.9 dB、噪声小于0.75 dB、输入输出驻波比小于1.3、输入输出端口均匹配到50 Q标准阻抗的单片集成电路,具有小型化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点.
研究瞭微波PHEMT(假晶型高電子遷移率晶體管)的非線性模型提取技術和CAD設計優化技術,採用3級放大的拓撲結構,設計瞭輸入、級間和輸齣匹配網絡以及偏置電路和拓撲結構,在儘可能小的呎吋上實現瞭工作頻率範圍為9 GHz～11GHz、增益大于33.9 dB、譟聲小于0.75 dB、輸入輸齣駐波比小于1.3、輸入輸齣耑口均匹配到50 Q標準阻抗的單片集成電路,具有小型化、低譟聲、高增益、低成本、高可靠性的特點.
연구료미파PHEMT(가정형고전자천이솔정체관)적비선성모형제취기술화CAD설계우화기술,채용3급방대적탁복결구,설계료수입、급간화수출필배망락이급편치전로화탁복결구,재진가능소적척촌상실현료공작빈솔범위위9 GHz～11GHz、증익대우33.9 dB、조성소우0.75 dB、수입수출주파비소우1.3、수입수출단구균필배도50 Q표준조항적단편집성전로,구유소형화、저조성、고증익、저성본、고가고성적특점.
