微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
11期
512-514
,共3页
量子阱红外焦平面探测器%铟柱%电子束蒸发
量子阱紅外焦平麵探測器%銦柱%電子束蒸髮
양자정홍외초평면탐측기%인주%전자속증발
对量子阱红外探测器研制中通常采用的铟膜制备和铟柱生长技术进行了研究.从铟源的选择及蒸发的方法、距离、真空度的控制等方面做了大量实验,优化出了最佳工艺条件.铟源的纯度99.99%,电子束蒸发厚金属膜,旋转行星夹具,蒸发距离39 cm,1.33×10-5 Pa真空下启动蒸发程序和关闭高阀,辅以适当的剥离方法,最终在光敏芯片和读出电路上分别制备出符合设计要求的20 μm×20 μm×7 μm(长×宽×高)铟柱.该工艺方法适用于任何厚金属膜的制备.
對量子阱紅外探測器研製中通常採用的銦膜製備和銦柱生長技術進行瞭研究.從銦源的選擇及蒸髮的方法、距離、真空度的控製等方麵做瞭大量實驗,優化齣瞭最佳工藝條件.銦源的純度99.99%,電子束蒸髮厚金屬膜,鏇轉行星夾具,蒸髮距離39 cm,1.33×10-5 Pa真空下啟動蒸髮程序和關閉高閥,輔以適噹的剝離方法,最終在光敏芯片和讀齣電路上分彆製備齣符閤設計要求的20 μm×20 μm×7 μm(長×寬×高)銦柱.該工藝方法適用于任何厚金屬膜的製備.
대양자정홍외탐측기연제중통상채용적인막제비화인주생장기술진행료연구.종인원적선택급증발적방법、거리、진공도적공제등방면주료대량실험,우화출료최가공예조건.인원적순도99.99%,전자속증발후금속막,선전행성협구,증발거리39 cm,1.33×10-5 Pa진공하계동증발정서화관폐고벌,보이괄당적박리방법,최종재광민심편화독출전로상분별제비출부합설계요구적20 μm×20 μm×7 μm(장×관×고)인주.해공예방법괄용우임하후금속막적제비.
