原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2007年
2期
237-239
,共3页
S3%R-矩阵方法%散射截面
S3%R-矩陣方法%散射截麵
S3%R-구진방법%산사절면
采用R-矩阵方法首次研究了电子碰撞激发S3分子过程.S3分子靶态采用24个电子态密耦合表示,计算了电子碰撞由基态1A1平衡位置垂直激发到电子激发态13B2,13B1,13A2,11A2和11B1的积分散射截面.
採用R-矩陣方法首次研究瞭電子踫撞激髮S3分子過程.S3分子靶態採用24箇電子態密耦閤錶示,計算瞭電子踫撞由基態1A1平衡位置垂直激髮到電子激髮態13B2,13B1,13A2,11A2和11B1的積分散射截麵.
채용R-구진방법수차연구료전자팽당격발S3분자과정.S3분자파태채용24개전자태밀우합표시,계산료전자팽당유기태1A1평형위치수직격발도전자격발태13B2,13B1,13A2,11A2화11B1적적분산사절면.