退火时间对ZnO:Al薄膜性能的影响
퇴화시간대ZnO:Al박막성능적영향
Effects of Annealing Time on Properties of ZnO:Al Thin Films Formed by Sol-gel Technique
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2008年 4期 548-552 ,共5页

    袁兆林%祖小涛%薛书文%李绪平%向霞%王毕艺%田东彬%邓宏%毛飞燕

    원조림%조소도%설서문%리서평%향하%왕필예%전동빈%산굉%모비연

    溶胶-凝胶法%ZnO:Al薄膜%光致发光%退火时间%透过率 溶膠-凝膠法%ZnO:Al薄膜%光緻髮光%退火時間%透過率
    용효-응효법%ZnO:Al박막%광치발광%퇴화시간%투과솔
    采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al/Zn原子比为0.1%的ZnO:Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1~5h不同时间退火处理,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响.结果显示,退火1h时,样品出现了c轴择优取向,深能级发射(DLE)提高,可见光区光学透过率约为80%,电阻率仅为4×10-2Ω·cm.更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大.
    채용용효-응효법재석영파리츤저상제비료Al/Zn원자비위0.1%적ZnO:Al박막,재500℃적아기중진행료1~5h불동시간퇴화처리,이용X사선연사(XRD)、광치발광(PL)、투사광보화사탐침법연구료퇴화시간대박막성능적영향.결과현시,퇴화1h시,양품출현료c축택우취향,심능급발사(DLE)제고,가견광구광학투과솔약위80%,전조솔부위4×10-2Ω·cm.경장시간퇴화후,수착퇴화시간증가,박막결정질량축점변차,전조솔축점증대.
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