固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
1期
23-26,57
,共5页
能带弯曲%禁带%X光激发电子能谱%二氧化硅%辐照
能帶彎麯%禁帶%X光激髮電子能譜%二氧化硅%輻照
능대만곡%금대%X광격발전자능보%이양화규%복조
根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化.将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件.就实验现象的机制进行了探讨.
根據X光激髮電子能譜(XPS)中元素各箇態的位置與價帶頂、導帶底的位置關繫,提齣瞭對一箇已有唯像模型的脩正,由這箇脩正模型能夠利用XPS數據攷察異質結的禁帶在經歷某些過程後是否有變化.將這箇方法應用于經歷60Co輻照的Si3N4/SiO2/Si,結果錶明:從SiO2到Si存在SiO2禁帶的彎麯,而輻照將SiO2禁帶變薄;同時,SiO2禁帶的變化明顯依賴于輻照條件.就實驗現象的機製進行瞭探討.
근거X광격발전자능보(XPS)중원소각개태적위치여개대정、도대저적위치관계,제출료대일개이유유상모형적수정,유저개수정모형능구이용XPS수거고찰이질결적금대재경력모사과정후시부유변화.장저개방법응용우경력60Co복조적Si3N4/SiO2/Si,결과표명:종SiO2도Si존재SiO2금대적만곡,이복조장SiO2금대변박;동시,SiO2금대적변화명현의뢰우복조조건.취실험현상적궤제진행료탐토.
