半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
355-358
,共4页
碳化硅%金属-肖特基场效应晶体管%连续波%大功率%高增益
碳化硅%金屬-肖特基場效應晶體管%連續波%大功率%高增益
탄화규%금속-초특기장효응정체관%련속파%대공솔%고증익
采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10W的SiC MESFET.经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30％的SiC MESFET研制结果.器件的功率增益和输出功率较以往的研制结果均得到显著提高,器件的反向截止泄漏电流也大幅度降低.由于器件未采用内匹配结构,其体积也化一般内匹配器件的体积小.研制结果为多胞合成实现更大功率输出的器件创造了条件,也使S波段连续波大功率输出器件的研制水平上了一个新的台阶.
採用自主開髮的SiC外延材料和工藝技術,相繼實現瞭S波段連續波狀態下輸齣功率瓦級和10W的SiC MESFET.經過版圖設計的改進和工藝條件的優化,取得瞭S波段連續波狀態下輸齣功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30％的SiC MESFET研製結果.器件的功率增益和輸齣功率較以往的研製結果均得到顯著提高,器件的反嚮截止洩漏電流也大幅度降低.由于器件未採用內匹配結構,其體積也化一般內匹配器件的體積小.研製結果為多胞閤成實現更大功率輸齣的器件創造瞭條件,也使S波段連續波大功率輸齣器件的研製水平上瞭一箇新的檯階.
채용자주개발적SiC외연재료화공예기술,상계실현료S파단련속파상태하수출공솔와급화10W적SiC MESFET.경과판도설계적개진화공예조건적우화,취득료S파단련속파상태하수출공솔대우20 W,공솔증익대우12 dB,공솔부가효솔대우30％적SiC MESFET연제결과.기건적공솔증익화수출공솔교이왕적연제결과균득도현저제고,기건적반향절지설루전류야대폭도강저.유우기건미채용내필배결구,기체적야화일반내필배기건적체적소.연제결과위다포합성실현경대공솔수출적기건창조료조건,야사S파단련속파대공솔수출기건적연제수평상료일개신적태계.
