热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进
열퇴화γ-Al2O3/Si이질결구박막질량개진
Improvement of γ-Al2O3/Si Heterostructure Films by Thermal Annealing in Oxygen Ambient
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2002年 11期 1178-1181 ,共4页

    谭利文%王俊%王启元%郁元桓%刘忠立%邓惠芳%王建华%林兰英

    담리문%왕준%왕계원%욱원환%류충립%산혜방%왕건화%림란영

    γ-Al2O3%SOI%MOCVD%退火 γ-Al2O3%SOI%MOCVD%退火
    γ-Al2O3%SOI%MOCVD%퇴화
    采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流.
    채용고진공MOCVD외연기술,이용TMA(Al(CH3)3)화O2작위반응원,재Si(100)츤저상외연생장γ-Al2O3절연막형성γ-Al2O3/Si이질결구재료.동시,인입외연후퇴화공예이편개선γ-Al2O3박막적정체질량급전학성능.측시결과표명,통과재O2상압하적퇴화공예가이유효지소제γ-Al2O3외연층적잔여열응력급련정결함,개선외연층적정체질량,동시가이제고MOS전용적항격천능력,강저루전전류.
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