沈阳工业大学学报
瀋暘工業大學學報
침양공업대학학보
JOURNAL OF SHENYANG POLYTECHNIC UNIVERSITY
2006年
5期
546-548
,共3页
反熔丝%氧化层/氮化物/氧化层%电阻%编程电压%稳定性
反鎔絲%氧化層/氮化物/氧化層%電阻%編程電壓%穩定性
반용사%양화층/담화물/양화층%전조%편정전압%은정성
反熔丝器件广泛地应用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中.介绍了多晶硅/ONO(氧化层-氮化物-氧化层)/多晶硅结构的反熔丝.描述了半导体技术制造反熔丝的工艺流程和工艺条件.未编程的反熔丝表现为电容特性,电阻即off-state电阻较大;经高电压编程的反熔丝即onstate电阻阻值较低.高压编程过的反熔丝的上下导电层短路(阻值在几十欧姆范围内),形成电流通路.研究中采用生长氧化层-氮化-生长氧化层的方法形成ONO结构.试验数据表明:ONO结构反熔丝介质漏电低于1×10-14A,稳定性高,在较大温度范围内on-state电阻变化小.反熔丝编程电压在15V以下.
反鎔絲器件廣汎地應用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中.介紹瞭多晶硅/ONO(氧化層-氮化物-氧化層)/多晶硅結構的反鎔絲.描述瞭半導體技術製造反鎔絲的工藝流程和工藝條件.未編程的反鎔絲錶現為電容特性,電阻即off-state電阻較大;經高電壓編程的反鎔絲即onstate電阻阻值較低.高壓編程過的反鎔絲的上下導電層短路(阻值在幾十歐姆範圍內),形成電流通路.研究中採用生長氧化層-氮化-生長氧化層的方法形成ONO結構.試驗數據錶明:ONO結構反鎔絲介質漏電低于1×10-14A,穩定性高,在較大溫度範圍內on-state電阻變化小.反鎔絲編程電壓在15V以下.
반용사기건엄범지응용재FPGA、DRAM、PROM、EPROM심편중.개소료다정규/ONO(양화층-담화물-양화층)/다정규결구적반용사.묘술료반도체기술제조반용사적공예류정화공예조건.미편정적반용사표현위전용특성,전조즉off-state전조교대;경고전압편정적반용사즉onstate전조조치교저.고압편정과적반용사적상하도전층단로(조치재궤십구모범위내),형성전류통로.연구중채용생장양화층-담화-생장양화층적방법형성ONO결구.시험수거표명:ONO결구반용사개질루전저우1×10-14A,은정성고,재교대온도범위내on-state전조변화소.반용사편정전압재15V이하.
