CAJ | 학술논문

CdZnTe晶体是一种性能优畀的室温核辐射探测器材料.在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响.根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体.通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104 cm-2,电阻率为109～1010 Ω·cm的Cd0.9 Zn0.1 Te单晶体.表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.
CdZnTe정체시일충성능우비적실온핵복사탐측기재료.재용체법생장CdZnTe정체적과정중,생장로적내부온장분포대획득적정체결구화성능유흔대영향.근거CdZnTe정체적생장습성,설계료삼온구단정로,용감과하강법생장출CdZnTe단정체.통과X사선연사、홍외투과솔、I-V측시등분석연구,득도료홍외투과솔약위61%,부식식갱밀도(EPD)위104 cm-2,전조솔위109～1010 Ω·cm적Cd0.9 Zn0.1 Te단정체.표명삼온구감과하강법생장적단정체결정질량호、성분분포균균、EPD저、홍외투과성능호차전조솔고.