微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
1期
90-93,100
,共5页
邹志革%邹雪城%雷鳢铭%杨诗洋%陈晓飞
鄒誌革%鄒雪城%雷鱧銘%楊詩洋%陳曉飛
추지혁%추설성%뢰례명%양시양%진효비
混合宏模型%模拟集成电路%设计流程%无电容型LDO
混閤宏模型%模擬集成電路%設計流程%無電容型LDO
혼합굉모형%모의집성전로%설계류정%무전용형LDO
模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率.提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计.基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC 0.25 μm标准CMOS工艺的无电容型LDO设计.
模擬集成電路的"自頂嚮下"設計方法能大大提高電路設計效率.提齣瞭一種"混閤宏模型",能高效、簡便地完成模擬集成電路的建模,進而指導器件級電路設計.基于"混閤宏模型"的設計方法,完成瞭一款基于HHNEC 0.25 μm標準CMOS工藝的無電容型LDO設計.
모의집성전로적"자정향하"설계방법능대대제고전로설계효솔.제출료일충"혼합굉모형",능고효、간편지완성모의집성전로적건모,진이지도기건급전로설계.기우"혼합굉모형"적설계방법,완성료일관기우HHNEC 0.25 μm표준CMOS공예적무전용형LDO설계.
