电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2010年
6期
934-939
,共6页
靳钊%庄奕琪%王江安%杜永乾%乔丽萍%张超
靳釗%莊奕琪%王江安%杜永乾%喬麗萍%張超
근쇠%장혁기%왕강안%두영건%교려평%장초
电荷泵电路%低压%能量转换效率%射频识别
電荷泵電路%低壓%能量轉換效率%射頻識彆
전하빙전로%저압%능량전환효솔%사빈식별
提出了一种适用于无源超高频射频识别[RFID)标签的低压高效电荷泵电路的设计方案,用以最大化标签的识别距离.该方案利用偏置电路为主电荷泵提供偏置电压,通过二极管连接的MOSFET抑制偏置电路的负载电流来提高偏置电压,大大减小了传统电荷泵中的阈值损失,有效抑制了反向漏电流,提高了电荷泵的灵敏度和能量转换效率.该结构使用chartered 0.35μmCMOS工艺进行流片验证,实测结果表明,在输入275mV负载电阻200 kΩ情况下,电荷泵输出可达1.47V,能量转换效率最高可达26.2%;采用该电荷泵的RFID标签识别距离最远可达4.2m.该设计为RFID芯片的良好性能提供了可靠保证.
提齣瞭一種適用于無源超高頻射頻識彆[RFID)標籤的低壓高效電荷泵電路的設計方案,用以最大化標籤的識彆距離.該方案利用偏置電路為主電荷泵提供偏置電壓,通過二極管連接的MOSFET抑製偏置電路的負載電流來提高偏置電壓,大大減小瞭傳統電荷泵中的閾值損失,有效抑製瞭反嚮漏電流,提高瞭電荷泵的靈敏度和能量轉換效率.該結構使用chartered 0.35μmCMOS工藝進行流片驗證,實測結果錶明,在輸入275mV負載電阻200 kΩ情況下,電荷泵輸齣可達1.47V,能量轉換效率最高可達26.2%;採用該電荷泵的RFID標籤識彆距離最遠可達4.2m.該設計為RFID芯片的良好性能提供瞭可靠保證.
제출료일충괄용우무원초고빈사빈식별[RFID)표첨적저압고효전하빙전로적설계방안,용이최대화표첨적식별거리.해방안이용편치전로위주전하빙제공편치전압,통과이겁관련접적MOSFET억제편치전로적부재전류래제고편치전압,대대감소료전통전하빙중적역치손실,유효억제료반향루전류,제고료전하빙적령민도화능량전환효솔.해결구사용chartered 0.35μmCMOS공예진행류편험증,실측결과표명,재수입275mV부재전조200 kΩ정황하,전하빙수출가체1.47V,능량전환효솔최고가체26.2%;채용해전하빙적RFID표첨식별거리최원가체4.2m.해설계위RFID심편적량호성능제공료가고보증.
