高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2011年
2期
231-235
,共5页
林晓敏%孙嘉苓%闫石%朱丽丽%苏文辉
林曉敏%孫嘉苓%閆石%硃麗麗%囌文輝
림효민%손가령%염석%주려려%소문휘
溶胶-凝胶法%Ce0.8Gd0.2-xPrxO1.9固溶体%X射线光电子能谱%拉曼光谱%电导率
溶膠-凝膠法%Ce0.8Gd0.2-xPrxO1.9固溶體%X射線光電子能譜%拉曼光譜%電導率
용효-응효법%Ce0.8Gd0.2-xPrxO1.9고용체%X사선광전자능보%랍만광보%전도솔
利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)和交流阻抗谱对溶胶-凝胶法制备的稀土双掺杂固溶体Ce0.8Cd0.2-xPrxO1.9(x=0,0.02,0.10)的结构和导电性进行了研究.XRD结果表明,经800℃焙烧所得样品都形成了单相立方萤石结构,平均晶粒尺寸在23～30 nm之间;XPS结果表明,样品中Pr离子以混合价态Pr3+和Pr4+存在;Raman光谱结果表明,Ce0.8Gd0.2PrxO1.9(x=0,0.02,0.10)具有氧缺位的立方萤石结构,Pr离子的掺杂使氧缺位浓度增加;阻抗谱结果表明,稀土双掺杂的固溶体Ce0.8Gd0.2-xPrxO1.9(x=0.02,0.10)的电导率高于稀土单掺杂的固溶体Ce0.8Cd0.2O1.9(σ600℃>=1.62×10-3S/cm,Ea=1.12 eV),其中Ce0.8Ga0.10Pr0.10O1.9的电导率最大(σ600℃=6.15×10<'-3>S/cm),导电活化能最小[Ea=0.64 eV(<400℃),Ea=0.82 eV(>400 ℃)],这与样品Ce0.8Cd0.2-xPrxO1.9内部更多的氧离子缺位和小极化子电子导电有关.
利用X射線衍射(XRD)、拉曼光譜(Raman)、X射線光電子能譜(XPS)和交流阻抗譜對溶膠-凝膠法製備的稀土雙摻雜固溶體Ce0.8Cd0.2-xPrxO1.9(x=0,0.02,0.10)的結構和導電性進行瞭研究.XRD結果錶明,經800℃焙燒所得樣品都形成瞭單相立方螢石結構,平均晶粒呎吋在23～30 nm之間;XPS結果錶明,樣品中Pr離子以混閤價態Pr3+和Pr4+存在;Raman光譜結果錶明,Ce0.8Gd0.2PrxO1.9(x=0,0.02,0.10)具有氧缺位的立方螢石結構,Pr離子的摻雜使氧缺位濃度增加;阻抗譜結果錶明,稀土雙摻雜的固溶體Ce0.8Gd0.2-xPrxO1.9(x=0.02,0.10)的電導率高于稀土單摻雜的固溶體Ce0.8Cd0.2O1.9(σ600℃>=1.62×10-3S/cm,Ea=1.12 eV),其中Ce0.8Ga0.10Pr0.10O1.9的電導率最大(σ600℃=6.15×10<'-3>S/cm),導電活化能最小[Ea=0.64 eV(<400℃),Ea=0.82 eV(>400 ℃)],這與樣品Ce0.8Cd0.2-xPrxO1.9內部更多的氧離子缺位和小極化子電子導電有關.
이용X사선연사(XRD)、랍만광보(Raman)、X사선광전자능보(XPS)화교류조항보대용효-응효법제비적희토쌍참잡고용체Ce0.8Cd0.2-xPrxO1.9(x=0,0.02,0.10)적결구화도전성진행료연구.XRD결과표명,경800℃배소소득양품도형성료단상립방형석결구,평균정립척촌재23～30 nm지간;XPS결과표명,양품중Pr리자이혼합개태Pr3+화Pr4+존재;Raman광보결과표명,Ce0.8Gd0.2PrxO1.9(x=0,0.02,0.10)구유양결위적립방형석결구,Pr리자적참잡사양결위농도증가;조항보결과표명,희토쌍참잡적고용체Ce0.8Gd0.2-xPrxO1.9(x=0.02,0.10)적전도솔고우희토단참잡적고용체Ce0.8Cd0.2O1.9(σ600℃>=1.62×10-3S/cm,Ea=1.12 eV),기중Ce0.8Ga0.10Pr0.10O1.9적전도솔최대(σ600℃=6.15×10<'-3>S/cm),도전활화능최소[Ea=0.64 eV(<400℃),Ea=0.82 eV(>400 ℃)],저여양품Ce0.8Cd0.2-xPrxO1.9내부경다적양리자결위화소겁화자전자도전유관.
