西安电子科技大学学报(自然科学版)
西安電子科技大學學報(自然科學版)
서안전자과기대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY
2011年
1期
42-46
,共5页
碳化硅%反型层%迁移率%库仑散射
碳化硅%反型層%遷移率%庫崙散射
탄화규%반형층%천이솔%고륜산사
提出了一种基于物理的4H-SiC n-MOSFET反型层迁移率模型.基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地应用于二维器件模拟软件.推导出SiC表面粗糙散射迁移率模型的参数与界面粗糙度之间的数值关系.模拟结果表明:库仑散射机制主要在近表面处起作用;随着栅电压增大,表面粗糙散射所起的作用逐渐显著;较高掺杂的SiC MOSFET表面粗糙散射成为限制反型层迁移率的最主要散射机制.
提齣瞭一種基于物理的4H-SiC n-MOSFET反型層遷移率模型.基于第一性原理的準二維庫崙散射遷移率模型攷慮瞭載流子屏蔽效應和溫度對庫崙散射的影響,模型中不包含任何經驗參數,可方便地應用于二維器件模擬軟件.推導齣SiC錶麵粗糙散射遷移率模型的參數與界麵粗糙度之間的數值關繫.模擬結果錶明:庫崙散射機製主要在近錶麵處起作用;隨著柵電壓增大,錶麵粗糙散射所起的作用逐漸顯著;較高摻雜的SiC MOSFET錶麵粗糙散射成為限製反型層遷移率的最主要散射機製.
제출료일충기우물리적4H-SiC n-MOSFET반형층천이솔모형.기우제일성원리적준이유고륜산사천이솔모형고필료재류자병폐효응화온도대고륜산사적영향,모형중불포함임하경험삼수,가방편지응용우이유기건모의연건.추도출SiC표면조조산사천이솔모형적삼수여계면조조도지간적수치관계.모의결과표명:고륜산사궤제주요재근표면처기작용;수착책전압증대,표면조조산사소기적작용축점현저;교고참잡적SiC MOSFET표면조조산사성위한제반형층천이솔적최주요산사궤제.
