华北水利水电学院学报
華北水利水電學院學報
화북수이수전학원학보
JOURNAL OF NORTH CHINA INSTITUTE OF WATER CONSERVANCY AND HYDROELECTRIC POWER
2011年
4期
156-158
,共3页
AlN%稀磁半导体%离子注入%超导量子干涉仪
AlN%稀磁半導體%離子註入%超導量子榦涉儀
AlN%희자반도체%리자주입%초도양자간섭의
用40 kV的Ni+离子在室温下对玻璃衬底上生长的AlN薄膜进行离子注入,注入剂量为5.0×1016 ions/cm2,在N2气氛下分别经400℃,600℃退火1h后,用超导量子干涉仪分析样品磁学特性.结果表明,Ni注入AlN薄膜未退火样品显示铁磁性；经400℃退火后铁磁性增强,居里温度大于室温；经600℃退火后样品铁磁性消失显示为顺磁性.结合透射电子显微镜对注入样品进行微结构研究,揭示Ni注入是进行AlN磁性掺杂的有效手段.在Ni注入AlN制备得到的稀磁半导体中,Ni和相邻的N之间的p-d杂化被认为是Ni注入( Al,Ni)N体系中磁性起源机制.
用40 kV的Ni+離子在室溫下對玻璃襯底上生長的AlN薄膜進行離子註入,註入劑量為5.0×1016 ions/cm2,在N2氣氛下分彆經400℃,600℃退火1h後,用超導量子榦涉儀分析樣品磁學特性.結果錶明,Ni註入AlN薄膜未退火樣品顯示鐵磁性；經400℃退火後鐵磁性增彊,居裏溫度大于室溫；經600℃退火後樣品鐵磁性消失顯示為順磁性.結閤透射電子顯微鏡對註入樣品進行微結構研究,揭示Ni註入是進行AlN磁性摻雜的有效手段.在Ni註入AlN製備得到的稀磁半導體中,Ni和相鄰的N之間的p-d雜化被認為是Ni註入( Al,Ni)N體繫中磁性起源機製.
용40 kV적Ni+리자재실온하대파리츤저상생장적AlN박막진행리자주입,주입제량위5.0×1016 ions/cm2,재N2기분하분별경400℃,600℃퇴화1h후,용초도양자간섭의분석양품자학특성.결과표명,Ni주입AlN박막미퇴화양품현시철자성；경400℃퇴화후철자성증강,거리온도대우실온；경600℃퇴화후양품철자성소실현시위순자성.결합투사전자현미경대주입양품진행미결구연구,게시Ni주입시진행AlN자성참잡적유효수단.재Ni주입AlN제비득도적희자반도체중,Ni화상린적N지간적p-d잡화피인위시Ni주입( Al,Ni)N체계중자성기원궤제.
