微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
6期
830-833,839
,共5页
刘会娟%伍冬%郑德平%潘立阳%许军
劉會娟%伍鼕%鄭德平%潘立暘%許軍
류회연%오동%정덕평%반립양%허군
石英晶体振荡器%模数混合电路%CMOS
石英晶體振盪器%模數混閤電路%CMOS
석영정체진탕기%모수혼합전로%CMOS
提出了一种对石英晶体振荡器进行温度补偿的模数混合方法.该补偿芯片基于0.18μm标准CMOS工艺实现.采用模拟补偿网络和基于非挥发存储器的数字补偿网络相叠加的方法,对晶体振荡器进行间接补偿,实现了数模混合的片式化,降低了存储器的容量.该方法不需要高压CMOS和EEPROM浮栅器件,降低了工艺成本和功耗.补偿结果显示,温度频率稳定度达到10-7/-40℃～85℃,系统功耗为1.79 mA@1.8 V.
提齣瞭一種對石英晶體振盪器進行溫度補償的模數混閤方法.該補償芯片基于0.18μm標準CMOS工藝實現.採用模擬補償網絡和基于非揮髮存儲器的數字補償網絡相疊加的方法,對晶體振盪器進行間接補償,實現瞭數模混閤的片式化,降低瞭存儲器的容量.該方法不需要高壓CMOS和EEPROM浮柵器件,降低瞭工藝成本和功耗.補償結果顯示,溫度頻率穩定度達到10-7/-40℃～85℃,繫統功耗為1.79 mA@1.8 V.
제출료일충대석영정체진탕기진행온도보상적모수혼합방법.해보상심편기우0.18μm표준CMOS공예실현.채용모의보상망락화기우비휘발존저기적수자보상망락상첩가적방법,대정체진탕기진행간접보상,실현료수모혼합적편식화,강저료존저기적용량.해방법불수요고압CMOS화EEPROM부책기건,강저료공예성본화공모.보상결과현시,온도빈솔은정도체도10-7/-40℃～85℃,계통공모위1.79 mA@1.8 V.
