物理学报
物理學報
물이학보
2004年
10期
3555-3559
,共5页
葛世慧%刘春明%寇晓明%姜丽仙%李斌生%李成贤
葛世慧%劉春明%寇曉明%薑麗仙%李斌生%李成賢
갈세혜%류춘명%구효명%강려선%리빈생%리성현
不连续磁性金属/绝缘体多层膜%隧道磁电阻效应
不連續磁性金屬/絕緣體多層膜%隧道磁電阻效應
불련속자성금속/절연체다층막%수도자전조효응
用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜(DMIM).经研究发现:对[SiO2(2.4 nm)/Co(t)]20体系,在Co层厚度小于2.5 nm时,Co层由连续变为不连续;Co层不连续时,其导电机理为热激发的电子隧穿导电,lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻(TMR)在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关,而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为1.9 nm的情况下,研究了TMR随SiO2层厚度的变化关系,并给出定性的解释.对[SiO2(2.4 nm)/Co(2.0 nm)]20的样品研究了TMR随温度的变化关系,发现TMR随温度的变化有一极大值,结合Helman 的理论(Phys.Rev.Lett,37,1429 (1976)),认为是颗粒之间存在磁性耦合的结果.
用射頻磁控濺射方法製備瞭繫列Co/SiO2不連續磁性金屬絕緣體多層膜(DMIM).經研究髮現:對[SiO2(2.4 nm)/Co(t)]20體繫,在Co層厚度小于2.5 nm時,Co層由連續變為不連續;Co層不連續時,其導電機理為熱激髮的電子隧穿導電,lnR與T-1/2接近正比關繫; 隧道磁電阻(TMR)在Co層厚度為1.4 nm時齣現極大值-3%.DMIM的性質不僅與磁性金屬層厚度密切相關,而且與絕緣層厚度有密切的關繫.在固定Co層厚度為1.9 nm的情況下,研究瞭TMR隨SiO2層厚度的變化關繫,併給齣定性的解釋.對[SiO2(2.4 nm)/Co(2.0 nm)]20的樣品研究瞭TMR隨溫度的變化關繫,髮現TMR隨溫度的變化有一極大值,結閤Helman 的理論(Phys.Rev.Lett,37,1429 (1976)),認為是顆粒之間存在磁性耦閤的結果.
용사빈자공천사방법제비료계렬Co/SiO2불련속자성금속절연체다층막(DMIM).경연구발현:대[SiO2(2.4 nm)/Co(t)]20체계,재Co층후도소우2.5 nm시,Co층유련속변위불련속;Co층불련속시,기도전궤리위열격발적전자수천도전,lnR여T-1/2접근정비관계; 수도자전조(TMR)재Co층후도위1.4 nm시출현겁대치-3%.DMIM적성질불부여자성금속층후도밀절상관,이차여절연층후도유밀절적관계.재고정Co층후도위1.9 nm적정황하,연구료TMR수SiO2층후도적변화관계,병급출정성적해석.대[SiO2(2.4 nm)/Co(2.0 nm)]20적양품연구료TMR수온도적변화관계,발현TMR수온도적변화유일겁대치,결합Helman 적이론(Phys.Rev.Lett,37,1429 (1976)),인위시과립지간존재자성우합적결과.
