半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
4期
383-386
,共4页
周飞跃%杜江锋%于奇%靳翀%罗谦%杨谟华
週飛躍%杜江鋒%于奇%靳翀%囉謙%楊謨華
주비약%두강봉%우기%근충%라겸%양모화
GaN%MSM结构%紫外探测器%光电流%表面态%陷阱
GaN%MSM結構%紫外探測器%光電流%錶麵態%陷阱
GaN%MSM결구%자외탐측기%광전류%표면태%함정
在求解一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用,获得了GaN基MSM结构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解,从而导出了其光响应特性主要参数,并解释了电流和响应度随偏压变化的原因和光增益现象.将该模型应用于具体器件,实验测得饱和临界偏压约6 V,稳态电流6×10-8A,响应率0.085 7 A/W,与理论计算较吻合.
在求解一維電流連續性方程和傳輸方程的同時攷慮錶麵態陷阱的作用,穫得瞭GaN基MSM結構紫外探測器在穩態光照下的電流隨電壓變化的解析解,從而導齣瞭其光響應特性主要參數,併解釋瞭電流和響應度隨偏壓變化的原因和光增益現象.將該模型應用于具體器件,實驗測得飽和臨界偏壓約6 V,穩態電流6×10-8A,響應率0.085 7 A/W,與理論計算較吻閤.
재구해일유전류련속성방정화전수방정적동시고필표면태함정적작용,획득료GaN기MSM결구자외탐측기재은태광조하적전류수전압변화적해석해,종이도출료기광향응특성주요삼수,병해석료전류화향응도수편압변화적원인화광증익현상.장해모형응용우구체기건,실험측득포화림계편압약6 V,은태전류6×10-8A,향응솔0.085 7 A/W,여이론계산교문합.
